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“必定能实现!”
“在各个领域我已经做好准备,非核心技术我会让别人来代工,例如屏幕玻璃和手机电池,这些我都已经谈妥。
核心技术的话,我只会抓在自己手中,现在公司已经对手机操作系统进行开发、以及各种新技术的研究。
不过在我看来,最关键的还是手机芯片,国内一个能打的都没有,汉芯一号那种狗屁倒灶的事就更别提了。”
“所以你打算自主设计芯片研发?”
“对,相关领域的人才我已经招聘了不少,但缺少一个真正懂行的领头人。”
“全球优秀工程师那么多,为什么选我?”
“我也不怕告诉你,因为你是胡正明教授唯一的关门弟子,也因为你曾经重度参与过鳍式场效应晶体管的研究,综上所述,你是独一无二的选择。”
1975年,英特尔公司创始人提出了“摩尔定律”,预言集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔两年会增加一倍。
从那时起往后20年,半导体行业一直遵照这个定律迅猛发展,直到1995年,当时的晶体管尺寸达到了358nm,逼近100nm。
业界认为这可能预示着晶体管尺寸的极限即将到来,半导体行业的黄金发展时期濒临结束。
胡正明接受了挑战,在1999年鳍式场效应晶体管解决方案,垂直铺设传导管道,开启3D晶体管时代。
这一方案把摩尔定律的效期延长了几十年。
鳍式场效应晶体管的专利不多,但却极为重要。以后这套技术所有半导体工厂都绕不过去。
除非他们只想生产20nm以上的芯片。
在FinFET(鳍式场效晶体管)之前,半导体行业普遍采用的是BulkCMOS工艺技术进行半导体的生产制作。
不过,BulkCMOS工艺技术有一个非常大的缺陷,那就是当半导体栅极长度逼近20nm大关时,对电流控制能力急剧下降,漏电率相应提高。
也就是说利用BulkCMOS工艺技术生产的半导体,其制程极限为20nm。
现在鳍式场效晶体管基本用不到,因为工艺要求还没达到,世界半导体巨头还在为攻克100nm而烦恼呢。
要是放到十年以后,如果还采用这个模式,那工厂就等着倒闭吧,核心竞争力根本没有。
这并不妨碍他积极布局鳍式场效晶体管的相关专利,掌握了这些专利,就掌握了日后与国外竞争对手谈判的资本。
这样才能在被卡脖子时还有一丝还手之力,不至于对手摆出架势,己方就躺平了。
想要掌握这些专利,选择一个熟悉鳍式场效应晶体管的人来负责,绝对能起事半功倍的作用。
当然他也可以选择去挖胡正明教授,不过挖他的难度和代价比挖梁孟松大得多,他的钱并非无限,好钢的用在刀刃上。
而且胡正明是美籍华人,说到底他就是个镁国人,他不歧视别国科学家,但却担心技术泄密。
现在的星辰无垠容错率太低,决不允许出现这种致命的错误。
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